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Inventchip

IV1Q12080T3

SIC MOSFET, 1200V 80MOHM, TO247-

● ActiveRoHS: ROHS3 Compliant
可订购ROHS3 Compliant量产中
分类Single FETs, MOSFETs
ECCNEAR99
交期15 Weeks

规格参数

MfrInventchip
PackagingTube
Part StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 3.8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76 nC @ 20 V
Vgs (Max)+20V, -5V
¥4.1568

供应商报价 (1)

DigiKeyB授权
¥4.1568
MOQ 120105 天

合规与法规信息

RoHS
ROHS3 Compliant
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ECCN
EAR99
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交期
15 Weeks
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可追溯性
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